基于C-MOSI的红外辐射源，TO46型带反射器，开放式
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描述
JSIR340-4型经济实惠的红外辐射源专为NDIR气体分析和其他红外测量应用而优化，如直接红外光谱法、衰减全反射光谱法或光声光谱法。基于CMOS的红外辐射源的膜片可达到高达800°C的温度。它能够为工业应用提供长期稳定的辐射输出，用于在环境温度为-20至85°C之间控制和监测过程气体。
硅滤波器优化了从紫外到15.5微米波长范围内的辐射输出。
作为SMD封装，JSIR340特别适合自动拾放装配和大批量生产。
我们红外辐射源中使用的MEMS芯片包含一个多层热板膜片，内含一个高温稳定的金属CMOSI层。发射器芯片的有效面积为2.2 x 2.2平方毫米，基于硅衬底并采用背刻蚀膜技术。所有薄膜工艺均采用标准MEMS工艺和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI电阻层免受老化和环境影响。
应用
非色散红外气体检测
衰减全反射光谱法
直接红外光谱法
光声光谱法
目标气体
二氧化碳（CO2）
甲烷（CH4）
丙烷（C3H8）
乙醇（C2H5OH）
其他红外活性气体
特点
成本效益高的组件
标准MEMS技术
CMOS兼容制造工艺
有效的自动化装配工艺，采用SMD封装
热板温度高达740°C
适当的辐射输出
由于热质量低，调制深度高
技术参数
技术参数 | TO39 open | SMD Si ARC | 单位 |
光谱输出范围 | 2 ... 15 | 2 ... 15 | μm |
有效面积 | 2.2 x 2.2 | 2.2 x 2.2 | mm² |
耐热1 | 19 ± 5 | 17 ± 5 | Ω |
温度系数2 | typ. 1 200 | typ. 1 000 | ppm/K |
时间常数0-63% | typ. 13 | typ. 11.5 | ms |
标称功耗3 | 650 | 650 | mW |
工作电压4 | typ. 3.5 | typ. 3.3 | V |
工作电流4 | typ. 180 | typ. 200 | mA |
推荐驱动模式 | Power mode | Power mode | |
活动区域温度1,5,6 | 600 ± 30 | 500 ± 30 | °C |
窗口 | open | Si ARC | |
外壳 | TO39 | SMD | |
预计使用寿命7,8 | > 5 000 h at 740 °C > 100 000 h at 600 °C | > 5 000 h at 640 °C > 100 000 h at 500 °C | |
绝对**额定值 | |||
输入功率3,5 | 1 000 | 1 000 | mW |
外壳温度8 | 200 | 200 | °C |
活动区域温度 | 740 | 640 | °C |
1. 额定功率下的单位
2. 25°C - 700°C
3. 功率开启状态
4. 带有25Ω热电阻
5. 环境温度为25°C时
6. 通过红外相机（0.7-1.1μm）测量的热点温度降低10%后的温度分布平均值
7. 连续模式下，平均无故障时间（MTTF）为63%（膜断裂，基于阿伦尼乌斯定律的计算值）
8. 包括环境温度
典型操作特性
电气示意图
电路
等效电路图
机械制图
TO39底部
SMD底部
截面图-TO39 reflector open
截面图-SMD with filter
产品概述
型号 | 类型 | 填充气体 | 最低温度 | 最高温度 | 光圈 | 窗口 |
JSIR340-4-AL-R-D6.0-0-0 | TO39 with reflector | None | -20 °C | 180 °C | 6.0 mm | Open |
JSIR340-4-CB-0-S5.0-Air-A7 | SMD | None | -20 °C | 85 °C | 5.0 x 5.0 mm² | Si ARC |