EKSMA 硒化镉 - CdSe 晶体
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描述
中红外波段的相干光源在分子光谱学、生物医学和遥感领域具有潜在应用。采用 CdSe 晶体的激光系统具有明显优势——调谐范围更宽 [1-3]。在 CdSe 参量振荡器输出的差频混频中，可获得相位匹配的 9.4-24.3 µm 调谐范围 [5]。CdSe 晶体的带边位于近红外波段，并可一直透射到远红外。长波限由晶格吸收起始决定，在 24.3 µm 处吸收为 1.5 cm⁻¹。
此外还存在一个以 18.5 µm 为中心的窄带杂质吸收，不同晶体之间有所不同。作为一种非线性光学材料，CdSe 晶体在 1970 年代被探索用于 OPG、OPO 和 DFG [4,5]。首先，实现了 10 至 20 µm 可调谐的皮秒脉冲 [6]。此外，CdSe 还被分别基于 OPG 和 OPO 在 8-13 µm 和 7-12 µm 范围内实现了兆瓦峰值功率 [7,8]。
Sellmeier 方程 [4]：其中 λ 的单位为微米。
技术规格
规格
| 参数 | 规格 |
|---|---|
| 结构： | 纤锌矿（六方） |
| 密度： | 5.81 g/ cm3 |
| 杨氏模量： | 5×1011 dyne/cm2 |
| 热膨胀系数（500 K）： | α 1=6.26×10-6/K; α 3=4.28×10-6/K |
| 比热: | 0.49 J/gK |
| 热导率（25 °C时）： | 0.04 W/cmK |
| 透射率（λ上限 =2.5-15 μm）： | ≥ 71 % |
| 吸收系数 (λ =10.6 μm)： | ≤ 0.0015 cm-1 (including 2 surfaces) |
| 折射率（λ =10.6 μm）： | no= 2.4258, ne=2.4437 |
| 单晶直径/长度上限： | Ø50.8×40 mm |
| 较大红外光学毛坯直径/长度： | Ø50×50 mm or plate 60×60×6 mm |
| 表面质量: | As-cut, 60/40 scratch*dig per MIL-0-13830 |
订购型号 (variants)
| SKU | 名称(中文) | 规格 |
|---|---|---|
| CdSe-0921-01 | CdSe晶体，尺寸6x4x2 mm | 尺寸=6x4x2 mm; 晶体取向=<0001>; 电阻率=high resistivity (3E11 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-02 | CdSe晶体，尺寸5x5x0.5 mm | 尺寸=5x5x0,5 mm; 晶体取向=<0001>; 电阻率=high resistivity (3E11 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-03 | CdSe晶体，尺寸5x5x0.5 mm（SKU CdSe-0921-03） | 尺寸=5x5x0,5 mm; 晶体取向=<0001>; 电阻率=low resistivity (<1 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-04 | CdSe晶体，尺寸5x5x1 mm | 尺寸=5x5x1 mm; 晶体取向="c"; 电阻率=low resistivity (<1 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-05 | CdSe晶体，尺寸dia5x5 mm | 尺寸=dia5x5 mm; 晶体取向=<0001>; 电阻率=high resistivity (3E11 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-06 | CdSe晶体，尺寸dia12.7x3.2mm | 尺寸=dia12,7x3,2mm; 晶体取向=<0001>; 电阻率=high resistivity (3E11 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-07 | CdSe晶体，尺寸dia25x5 mm | 尺寸=dia25x5 mm; 晶体取向=随机取向; 电阻率=low resistivity (<1 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-08 | CdSe晶体，尺寸dia25x5 mm（SKU CdSe-0921-08） | 尺寸=dia25x5 mm; 晶体取向=<0001>; 电阻率=high resistivity (3E11 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-09 | CdSe晶体，尺寸8x8x8 mm | 尺寸=8x8x8 mm; 晶体取向=随机取向; 电阻率=low resistivity (<1 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-10 | CdSe晶体，尺寸8x10x30mm | 尺寸=8x10x30mm; 晶体取向=Θ=78°; Φ=0°; cut for NCPM type II (oe-o); 电阻率=- |
| CdSe-0921-11 | CdSe晶体，尺寸10x10x0.5mm | 尺寸=10x10x0,5mm; 晶体取向="c"; 电阻率=high resistivity (3E11 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-12 | CdSe晶体，尺寸10x10x0.5mm（SKU CdSe-0921-12） | 尺寸=10x10x0,5mm; 晶体取向=<0001>; 电阻率=low resistivity (<1 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-13 | CdSe晶体，尺寸10x10x0.5mm（SKU CdSe-0921-13） | 尺寸=10x10x0,5mm; 晶体取向=<0001>; 电阻率=low resistivity (<1 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-14 | CdSe晶体，尺寸10x10x0.5mm（SKU CdSe-0921-14） | 尺寸=10x10x0,5mm; 晶体取向=随机取向; 电阻率=low resistivity (<1 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-15 | CdSe晶体，尺寸10x10x1mm | 尺寸=10x10x1mm; 晶体取向=<0001>; 电阻率=low resistivity (<1 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-16 | CdSe晶体，尺寸10x10x1mm（SKU CdSe-0921-16） | 尺寸=10x10x1mm; 晶体取向=<0001>; 电阻率=high resistivity (3E11 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-17 | CdSe晶体，尺寸10x10x1mm（SKU CdSe-0921-17） | 尺寸=10x10x1mm; 晶体取向="c"; 电阻率=low resistivity (<1 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-18 | CdSe晶体，尺寸10x10x2mm | 尺寸=10x10x2mm; 晶体取向=(10-10); 电阻率=low resistivity (<1 Ohm'cm) |
| CdSe-0921-19 | CdSe晶体，尺寸25x15x1mm | 尺寸=25x15x1mm; 晶体取向=(10-10); 电阻率=low resistivity (<1 Ohm'cm) |