InGaAs 线阵图像传感器G14237-512WA

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InGaAs 线阵图像传感器G14237-512WA

近红外传感器（0.85 至 1.45 μm）

G14237-512WA 是一款 InGaAs 线阵图像传感器，设计用于使用 1064 nm 激光器进行拉曼光谱测量。该产品专为测量拉曼光谱范围而设计，截止波长相比前代产品 (G11508-512SA) 有所减小，以实现低暗电流。该产品由 InGaAs 光电二极管阵列和 CMOS 芯片组成，包含电荷放大器、偏移补偿电路、移位寄存器和时序发生电路。电荷放大器由 CMOS 晶体管阵列组成，并连接到 InGaAs 光电二极管阵列的每个像素。每个像素的信号都在电荷积分模式下读出，在近红外区域实现了高灵敏度和稳定操作。采用密封封装，可靠性**。可使用外部电压将 CMOS 芯片上的信号处理电路设定为四种转换效率 (CE) 设置之一。

特点

  • 低噪声，极低暗电流[1/10 or less than that of the previous product (cutoff wavelength: 1.7 μm)]

  • 有四种转换效率可供选择

  • 内置抗饱和电路

  • 内置 CDS 电路

  • 内置热敏电阻

  • 操作方便（内置时序发生电路）

  • 高分辨率：像素间距 25 μm

详细参数


影像尺寸
12.8 x 0.5 mm
像素尺寸
25 x 500 μm
像素间距
25 μm
像素总数
512 像素
封装
金属
散热
两级电子冷却型
行速率（**值）
9150 行/秒
灵敏度波长范围
850 至 1450 nm
暗电流（**值）
2 pA
测量条件
除非另有说明，典型值 Ta = 25°C，Vdd = 5 V，INP = Vinp = PDN = 4 V，Fref = 1.2V，Vclk = 5V，f = 1 MHz，CE = 16 nV/e-


光谱灵敏度特性

外形尺寸图（单位：mm）