新版单模光纤
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用于恶劣环境的缓冲涂层
我们提供工作波长在375 nm和1650 nm之间的单模光纤，NA在0.12和0.37之间。高NAS光纤具有优异的抗弯曲损耗的坚固性，并且由于其改进的光敏性而无需氢化，因此也常用于FBG刻写。
UV-Vis光纤具有纯二氧化硅纤芯，以提高对日晒作用的抵抗力，在550nm以上工作的光纤具有Ge掺杂的纤芯。单模纯硅芯光纤也可在NIR中工作，并在“恶劣环境”部分中列出。
包层直径为Ø80µm的光纤可减少占用空间，同时提高弯曲时的机械可靠性。纤维可以涂上标准的高温丙烯酸酯或聚酰亚胺。
关键特征
375至1650纳米操作
纯二氧化硅芯（UV/VIS）或掺锗（VIS/NIR）
Ø125µm、Ø80µm或定制包层直径
丙烯酸酯、高温丙烯酸酯或聚酰亚胺涂料
应用覆盖
Pigtailing
传感（DAS、DTS、DSS）
光纤光栅刻字
生物医学
主要规格
产品名称 | 规格 |
IXF-SM-375-125-010 | UV-Vis operation Solarization resistant, pure silica core 0.10 core NA |
IXF-SM-780-125-014 | 780 nm operation 0.14 core NA |
IXF-SM-1550-60-019 | 1550 nm operation 60 µm cladding diameter 0.19 Core NA |
IXF-SM-1550-80-016 | 1550 nm operation 80 µm cladding diameter 0.16 Core NA |
IXF-SM-1550-80-019 | 1550 nm operation 60 µm cladding diameter 0.19 Core NA |
IXF-SM-1550-80-022 | 1550 nm operation 80 µm cladding diameter 0.22 core NA |
IXF-SM-1550-125-012-PI | Low radiation level Polyimide coating |
IXF-SM-1550-125-014-PI | Low radiation level Polyimide coating |
IXF-SM-1550-80-019-PI | Low radiation level Polyimide coating |
IXF-SM-1550-80-024-PI | Low radiation level Polyimide coating |
IXF-SM-1550-125-028-PI | Low radiation level Polyimide coating |
IXF-SM-1550-125-014-HT | Low radiation level Polyimide coating |
IXF-PHO-CMS | Cladding Mode Shifted Up to 9 nm, <0.25 dB splice loss |
IXF-PHO-CMSP | Cladding Mode Shifted Up to 9 nm, <0.25 dB splice loss |