基于C-MOSI的红外辐射源，TO39封装，带有反射器，开放式

产品详情

描述

JSIR340-4型经济实惠的红外辐射源专为NDIR气体分析和其他红外测量应用而优化，如直接红外光谱法、衰减全反射光谱法或光声光谱法。基于CMOS的红外辐射源的膜片可达到高达800°C的温度。它能够为工业应用提供长期稳定的辐射输出，用于在环境温度为-20至85°C之间控制和监测过程气体及相关气体。带有标准TO封装和盖子的包装版本适合测量距离长达2厘米。

我们红外辐射源中使用的MEMS芯片包含一个多层热板膜片，内含一个高温稳定的金属CMOSI层。发射器芯片的有效面积为2.2 x 2.2平方毫米，基于硅衬底并采用背刻蚀膜技术。所有薄膜工艺均采用标准MEMS工艺和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI电阻层免受老化和环境影响。

应用

NDIR气体检测

衰减全反射光谱法

直接红外光谱法

光声光谱法

目标气体

二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、氨气、二氧化硫、六氟化硫以及成熟气体如乙烯(C2H4)和乙炔(C2H2)

特点

由于芯片膜片的低热质量，时间常数为11毫秒

高膜片温度高达770°C，有效芯片面积为2.2 x 2.2平方毫米

长期稳定的芯片结构

光谱带宽从2到15微米

CMOSI芯片技术

技术参数

技术参数	值	单位
光谱输出范围	2 ... 15	μm
有效面积	2.2 x 2.2	mm²
耐热1	18 ± 5	Ω
温度系数2	1100	ppm/K
时间常数0-63%	11	ms
标称功耗3	650	mW
工作电压4	3.4	mV
工作电流4	190	mA
推荐驱动模式	Power mode
活动区域温度1,5,7	540 ± 30	°C
外壳	TO39
预计使用寿命6,8	> 5000 h at 770 °C; > 100000 h at 540 °C
**输入功率	1200	mW
外壳最高温度8	185	°C
活动区域最高温度	770	°C